تعریف سطح قبول کننده
هنگامی که نبوغ های قبول کننده به مواد نیمه هادی خالص دونه می شوند، مهاجرت الکترون های والانس سوراخ های بار مثبت و مراکز بار منفی را تشکیل خواهد داد. با توجه به جاذبه الکترواستاتیک، سوراخ ها به طور ضعیفی توسط مراکز دارای بار منفی محدود خواهند شد تا ایالت های کران دار را تشکیل دهند. حرکت در اطراف، پس از اینکه سوراخ ها انرژی دریافت می کنند، از اتصال به شکل سوراخ های هادی آزاد خواهند بود. حالت انرژی حفره های مقید به impurities acceptor را سطح انرژی قبول کننده می نامند.